1948 wurden die größeren Betriebe in Teltow - auch das Dralowid Werk - in Volkseigentum (VEB) überführt.
Der Firmenname wechselte 1953 von VEB Dralowid zu VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik (WBN) "Carl von Ossietzky" (CvO).
Bereits seit 1952 erfolgte die Entwicklung und Laborproduktion von Halbleiterbauelementen. So wurden bis 1956 Keramikdioden, Germaniumdioden und erste Siliziumdioden, Glasdioden, Golddraht und Fotodioden entwickelt. Später erfolgte die Entwicklung von Leistungstransistoren und die Züchtung von Reinstsilizium.
1960 wurde die Halbleiterentwicklung- und Fertigung aus dem WBN ausgegliedert und das Institut für Halbleitertechnik "IHT" in Teltow in der ehemaligen Seifen- und Parfümfabrik Lohse gegründet.
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